SK海力士发布176层4D闪存

12月7日，SK海力士宣布完成对业界最多层的176层512 Gb（TL）三层单元（TLC）4D NAND闪存的开发。闪存单元架构为CTF（电荷捕获），同时集成了PUC技术。新型176层NAND闪存是第三代4D产品，可确保每个晶圆可以切割更多有效的闪存硅片。除了容量增加35%，闪存单元的读取速度也提升了20%，使用加速技术可使得传输速度加快33%到1.6Gbps。SK海力士预计相关产品明年年中上市，目前主控厂商已经在测试样品，预计会在手机闪存领域首发，目标是70%的的读速提升和35%的写速提升，后续还会应用到消费级SSD和企业产品上。