美光首发232层3D NAND闪存 计划明年投产

近日，美光公司发布了业界首个具有232层的3D NAND闪存，并宣布该技术将会投入包括SSD在内的多种产品。这种232层的3D NAND闪存采用3D TLC架构，原始容量为1Tb（128GB）；芯片基于美光的CuA架构，并使用NAND的字符串堆叠技术。CuA架构的设计，配合232层的高堆叠，有效减少了1Tb 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸，有望降低产品的生产成本，提升竞争力。美光表示，预计将在2022年底开始生产232层3D TLC NAND闪存，按此计划，采用这种新技术的SSD应该会在明年与用户见面。