西数&铠侠宣布下一代3D NAND闪存技术细节

近日，西部数据和铠侠联合宣布了下一代3D NAND闪存的技术细节。218层3D NAND闪存包含四个平面(plane)，1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC），应用先进的晶圆键合(wafer bonding)、横向收缩(lateral shrink)技术，并在横向收缩、纵向收缩方面取得平衡，存储密度比上代提升超过50％，I/O接口传输速度达到3.2Gbps，比上代提升多达60％，同时在写入性能、读取延迟方面改进了20％。