SK 海力士宣布量产 238 层 4D NAND 闪存：速度提升 50％ 达 2.4Gbps，已率先在手机测试

6 月 8 日消息，SK 海力士于今日（6 月 8 日）发布公告，宣布开始量产 238 层 4D NAND 闪存。

SK 海力士在公告中称，已开始量产 238 层 4D NAND 闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。

SK 海力士强调：“公司以 238 层 NAND 闪存为基础，成功开发适用于智能手机和 PC 的客户端 SSD（Client SSD）解决方案产品，并在 5 月已开始量产。公司在 176 层甚至在 238 层产品，都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力，期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。”

据介绍，238 层 NAND 闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的 176 层提升了 34%。此产品的数据传输速度为每秒 2.4Gb（注：千兆比特），号称比上一代的速度快 50%，并且改善了约 20% 的读写性能。

SK 海力士表示，计划在完成智能手机客户公司的验证后，首先向移动端产品供应 238 层 NAND 闪存，随后将其适用范围扩大到基于 PCIe 5.0 的 PC 固态硬盘（SSD）和数据中心级高容量固态硬盘产品等。

SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就导入了 4D 方式，采用电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC（Peri. Under Cell）技术。相比 3D 方式，4D 架构号称具有单元面积更小、生产效率更高的优点。