三星计划大规模生产面向AI应用的高带宽存储芯片，力求追赶SK海力士。

6 月 27 日消息，三星设备解决方案部门总裁KyeHyunKyung曾承认三星代工技术落后于台积电，并表示三星将在五年内超过台积电。近日，有消息指出，三星正计划于2023年下半年大规模生产面向AI应用的高带宽存储芯片，以应对市场需求的变化。

据外媒 KoreaTimes 报道，三星计划在2023年下半年大规模生产面向AI应用的高带宽存储芯片，以应对市场需求的变化。这主要得益于其欲迎头赶上SK海力士，后者在AI存储芯片市场迅速取得了领先地位。注意到，2022 年 SK 海力士在 HBM 市场占有约 50% 的份额，而三星占有约 40% 的份额。美光占有剩余的 10%。不过，HBM 市场整体上并不大，仅占整个 DRAM 市场的约 1%。

尽管市场份额不大，但随着AI市场的增长，对HBM解决方案的需求预计将增加。三星计划大规模生产HBM3芯片以应对市场变化，因为应用AI的存储芯片正在变得更加普遍，而高带宽存储解决方案也越来越受到关注。

在此之前，有报道称三星赢得了AMD和谷歌作为其客户，将在其第三代4纳米工艺节点上制造Tensor3芯片，并且传言中的Exynos2400SoC也可能在4纳米工艺上制造。