美光推出全球首款232层NAND

近日，美光宣布，下一代232层NAND闪存将于2022年底前实现量产。这标志着业界首款232层3D NAND正式问世。目前该技术已经应用在英睿达（Crucial）旗下几款固态硬盘上。其他搭载这项技术的产品将于今年晚些时候上市，届时将为消费者带来更大容量、更高密度、更少能耗与更低单位存储成本的存储解决方案。

美光新推出的232层NAND基于经过验证的CMOS阵列下(CuA)架构，该架构为容量增长、密度增加、性能提升和成本降低提供了一个向上扩展的方法。通过增加NAND数据单元阵列堆叠层数，能够增加每平方毫米晶圆上的比特数，进而提高存储密度，降低单位存储成本。 全球首发的232层NAND技术标志着美光第六代NAND即将进入大规模量产。突破性的超高堆叠层数和CuA技术使每颗芯片仅需极小的尺寸就可存储高达1Tb的容量，这意味着232层NAND的比特密度比上一代176层NAND高出45%以上。密度的增加也进一步改善了封装规格，全新的11.5mm×13.5mm封装尺寸较前几代小28%。这些突破意味着大容量、高性能的存储产品将能搭载在更多类型的设备上。

除了密度增加，拥有业界最多堆叠层数，232层NAND也是目前速度最快的NAND产品。开放式NAND闪存接口（ONFI）使传输速率大大提高，达到2400MT/s，比上一代技术提高50%以上。此外双向带宽也有提高，相比176层产品，232层NAND的写入带宽提升可达100%，读取带宽提升超过75%。

为了实现存储与性能进步，需要将3D NAND划分为更多的六个平面，以实现更高程度的并行，从而提高性能。美光是首家将六平面TLC（三层单元）NAND产品推向市场的厂商。就单颗裸片而言，增加并行性能给NAND器件同时发送更多读写指令，从而提高顺序访问和随机访问的读写性能。因此，六平面架构和全新232层NAND中相应的独立字线数量，也可以通过减少写入和读取指令冲突来提高服务质量(QoS)。