速度高达7.2Gbps 三星宣布14nm EUV DDR5 DRAM量产

10月12日，三星官方宣布已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14nm DRAM。根据最新DDR5标准，三星的14nm DRAM速度高达7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快两倍多。

三星表示，继去年3月推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。通过在14nmDRAM中应用5个EUV层，三星实现了自身最高的单位容量，整体晶圆生产率提升了约20%，与前代DRAM工艺相比，14nm工艺可帮助降低近20%的功耗。三星还计划扩展其14nm DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机与企业服务器的应用。三星预计将14nm DRAM芯片容量提升至24GB，以搞好满足全球IT系统快速增长的数据需求。